三相电机运行需要三相逆变器，其一般组成为：6个功率晶体管(MOSFETs或IGBTs)、控制晶体管的栅极驱动器(一个或多个)、实现控制算法(速度、转矩控制等)的控制逻辑电路(微控制器或微处理器)。
栅极驱动器为数字控制和功率执行器之间的模拟桥梁，其必须可靠、抗噪声和扰动鲁棒、精确(保证控制算法和脉宽调制有效)，且为保证安全运行，其在非常规条件下或在系统某一部分失效期间需具备保护和安全功能。
引言
STMicroelectronics STDRIVE601为一款针对N沟道功率MOSFET和IGBT的集成三个半桥栅极驱动器的单芯片。该芯片采用了ST公司的BCD6s-高压技术，该技术将双极性、CMOS和DMOS器件与可驱动高侧晶体管且击穿电压超过600V的浮动单元集成在了同一芯片上。新一代的BCD6s技术确保了该器件一流的稳健性。
该器件还具备几项辅助功能和特点，这有助于加速系统设计、减少外围元器件和电路。避免针对噪音和扰动来使用复杂琐碎的保护电路且可确保整个应用简单经济。
STDRIVE601采用小体积的SO28封装，可替代三个半桥驱动器以简化PCB板布局。6路输出均可实现350mA灌电流和200mA拉电流，且栅极驱动电压范围为9-20V。
三个高侧自举单元工作电压高达600V且可由内置自举二极管供电，可节省PCB面积并减少元件数量。低侧和每个高侧驱动单元的欠压锁定(UVLO)功能可防止功率开关工作在低效或危险状态。
由于技术发展和设计优化，STDRIVE601可在负压尖峰超过100V时保证稳健性，并且以业界领先的85ns响应逻辑输入。高低侧单元的延时匹配消除了周期畸变且可保证高频运行，互锁和死区插入同时也避免了未知情况下的交叉导通。
智能关断电路确保了有效的过流保护，高速保护功能可在检测到过载或短路后的短短360ns内关断栅极驱动器。设计者可通过改变外部电容的容值来设置和调整保护关断时间而不会影响芯片关断反应时间，该芯片还提供了一个低电平有效故障指示引脚。
ST公司还提供了EVALSTDRIVE601评估板以帮助用户探索STDRIVE601的功能并迅速启动和运行第一个原型。
负压现象
半桥输出中的负压尖峰在功率应用中非常常见，特别是空间或机械限制导致无法对PCB布局进行优化时。负压尖峰会导致一些不良现象，如自举电容的过充电以及器件稳健性不足时输出侧的误动作。
在半桥拓扑结构中，特别是驱动大感性负载时，功率半桥的输出很容易出现负压，表现为初始的动态尖峰和后续的静态负压(如图1-b所示)。这个现象出现在桥臂硬开关切换至低电平输出且负载电流由桥臂输出至负载时。当高侧开关关闭时，感性负载元件试图维持
