EEPROM 代表电可擦除可编程只读存储器。EEPROM是一种非易失性主存储器和EPROM（可擦除可编程只读存储器）的修改版本，它使用电信号来擦除和编程内容，而不是以前在EPROM中使用的UV信号。它被用作计算机中的芯片来存储数字数据。
有两种类型的 EEPROM：
串行 EEPROM并行 EEPROM
发展历史
EEPROM由George Perlegos于1978年在英特尔开发。作为非易失性存储器，这意味着即使断电，它也能保留所有数据，并与EPROM相比存储大容量的数据或位。它在其更高版本中用作闪存，也用于存储计算机的BIOS。
特性
更省时：EEPROM需要5-10毫秒才能以电子方式擦除内容，而EPROM则需要几分钟才能使用UV信号擦除相同的内容。
可编程和可擦除内容：它可以重新编程n次，并且该生命周期必须由制造商定义，并且在现代EEPROM中最多可以达到100万个生命周期。
无需拆卸芯片：要重新编程或删除内容，无需将芯片从计算机中取出。
优势
快速擦除数据，因为它使用电信号，可以擦除所有内容，也可以按特定字节擦除。
存储的数据是非易失性的，即使电源关闭也会保留。
易于重新编程，无需从计算机中取出，也不需要任何额外的设备进行重新编程。
缺点
数据保留问题，因为所使用的绝缘子不是完美的绝缘体，并且制造提供长达的数据保留。
它需要不同的电压来读取，写入和擦除内容。
EPROM 代表 可擦除可编程只读存储器。它是一种本质上是非易失性的存储芯片，即使在电源停止后也可以保存数据。它可以一次又一次地重复使用，因为它易于编程和擦除。
发展历史
1967年，贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze提出，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的浮动栅极可用于可重编程ROM（只读存储器）的单元。考虑到这一概念，英特尔的Dov Frohman于1971年发明了EPROM。Frohman设计了Intel 1702，这是一款2048位EPROM，由英特尔于1971年宣布。
特性
每个EPROM都由电子设备编程。
EPROM中包含的数据通过将其暴露在紫外线下来擦除。
EPROM可以存储数据至少10-。
擦除窗口保持覆盖状态，以避免不必要的紫外线照射，从而避免意外丢失数据。
优势
易于擦除和编程。
非常有效 - 由于存储器数据可以一次又一次地擦除以供使用，因此它消除了对其他外部存储器的需求。
缺点
不会删除特定的选定数据，而是删除整个数据，这是用户担心的原因。
当整个数据被删除时，用户需要保持备份。
它需要紫外线来擦除非常罕见的数据。
擦除数据的过程非常复杂。
