在交流供电的时候，需要按照最高供电计算。。。因为mos的雪崩电压。
雪崩电压：在达到MOS的雪崩电压的时候，会钳位住电压，就算同一批次的，雪崩电压，也会不一样。。。雪崩的时候，会使MOS的内部的电流持续增大。虽然，短时间不会坏，但是发热会非常严重。
这里的设计我们采用600V耐压的，MOS
为了保证MOS永远不会到，雪崩电压。（雪崩电压，大概就是耐压值吧？）
所以这里我们取MOS上，所加的最高电压位550V
在所有的反击电源电压设计中，Vz是Vor…1.4倍
所以得出Vor是121V（就是MOS关闭，变压器初级上的线圈电压）
因为我们次级需要的是5V电压。（如果加上整流二极管的压降：5+0.7=5.7V）
所以，由初级电压121V，和次级5V，可得砸比：121V5.7V=22倍（匝）\frac{121V}{5.7V} \quad =22倍（匝）5.7V121V=22倍（匝）
注释：下图，输入电压位270V，整流后变成380V，Vz 范围由图一的，稳压二极管钳位了（初级变绕组那个）。。
。。。。。。。下图是由，供电电压380+mos关断的初级绕组电压Vor+mos关断初级绕组的漏感电压=550V
1问：取Vor值（MOS关断时。初级绕组的电压）
设：输入交流电压为270。
整流后，初级绕组电压为：270x1.414=380V
选用600V耐压的MOS，留有余量，电路中，最高反向电动势，钳位在550V。
Vz=550-380=170V
Vor=170➗1.4=121.4285V
2问：取绕组匝比
由1问，Vor值
设我们想要，次级变压器的输出电压为5.7V
匝比=121.4285➗5.7=21.30325
3问：取漏感电压
由1问，Vor值+初级绕组上的直流电压
漏感电压为：550-380-121.4285=48.5715V
4问：初级绕组功率
设输出功率为35.3W
由于，反击开关电源的，转换效率只有70%
所以，初级绕组功率为35.3➗70%=50.4285W
5问：初级变压器电流
由1问可知：初级绕组，在mos关断期间，电压为121.4285V
由4问可知：初级绕组，在mos关断期间，功率为50.4285W
所以，初级变压器，MOS关断时刻的，电流为50.4285W➗121.4285V=0.41529A
6问：次级绕组的电流
因为我们要输出的功率是35.3W，要输出的电压是5V
所以，35.3W➗5V=7.06A
7问：I or（映射MOS关断期间，次级线圈的电流。）
I or
Ior匝数=MOS关断时候的，初级线圈电流\frac{I ~or~}{匝数}=MOS关断时候的，初级线圈电流匝数Ior=MOS关断时候的，初级线圈电流
8问：占空比
由于能量传输，实际上是，电流流过线圈，磁电转换的过程。所以，我们，计算的是电流，导通和关断时间的占空比。
由公式：IinD=Ior1−D\frac{I ~in~ }{D} \quad =\frac{I ~or~ }{1-D} \quadDIin=1−DIor
0.4AD=0.32A1−D\frac{0.4 A}{D} \quad =\frac{0.32A}{1-D} \quadD0.4A=1−D0.32A
I in 是mos导通，产生的电流
D是MOS的导通时间
1-D，是MOS的关断，初级线圈，放电的时间
9问：次级线圈电流是多少（IoL的电流）
设，次级输出的平均功率为，5V 2A
由8问可知，MOS关断时间为1-D=0.45
由于2A是100%的时间，而0.45是关断MOS，次级变压器，放电的时间，为了做功一致，电流就会比平均电流大。。。所以2➗0.45=4.4444A
10问：次级线圈峰值电流是多少（Io的电流）
由于，电感是由，MOS的导通，和关断，进行放电的，所以，会存在，电流的尖峰。
而图中，IL是，是波形的平均值。。。。称之为腰线电流。
设，次级输出的平均功率为，5V 2A
由9问可知，次级线圈电流为4.444A
将其带入，上图，峰值电流的计算公式中，可以得出，峰值电流为：5.555A
所以，在选择二极管的时候，需要按照最大的峰值电流进行选择。
11问：变压器的电感值计算
在部分地区，电源在过认证的时候，需要输入270V电压进行测试。。。韩国有三网电压，最低可到90V。。。最高，可到230V。
