摘要
提供了清洁覆盖半导体衬底的金属区域的方法。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁从金属区域去除材料的方法包括加热金属区域，由包含氢气和二氧化碳的气体形成等离子体，以及将金属区域暴露于等离子体。
发明领域
本发明一般涉及半导体制造，更具体地涉及剥离光致抗蚀剂和/或清洁半导体结构的金属或金属硅化物区域的方法。
发明背景
电互连技术通常需要金属或其他导电层或区域之间的电连接，这些导电层或区域位于半导体衬底内或覆盖在半导体衬底上的不同高度处。这种互连通常部分地通过蚀刻穿过绝缘材料到较低高度金属层或金属化区域的沟槽和/或接触开口来进行。例如，通常制造接触开口以与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的金属硅化物区域形成导电接触。沟槽和接触开口也常规地制造到各种金属层以最终将一个高度上的一个半导体器件元件连接到另一个高度上的另一个半导体器件元件。
