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功率 功率马力换算

时间:2019-10-12 08:21:47

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功率 功率马力换算

基于TMDs大范德华间隙半径,实现具有高开关比的超低功率RRAM

成果介绍

低功耗、高开关比是下一代电阻式随机存取存储器(RRAM)的发展方向。以往的技术无法在降低SET功率的同时提高开关比。

有鉴于此,近日,西安工业大学坚增运教授,坚佳莹和西北工业大学常洪龙教授(共同通讯作者)等合作报道了一种通过调节过渡金属硫族化合物(TMDs)范德华(vdW)层间的间隙半径(rg)来制备低功率、高开关比RRAM的方法,该方法在提高开关比的同时降低了SET功率。器件的SET电压、SET功率、开关比和耐久度与rg有很强的相关性。当rg与形成导电丝的金属离子半径之比(rg/rAg+)接近1时,随着rg/rAg+的增大,SET电压和SET功率垂直下降,开关比垂直上升。对于rg/rAg+为1.04的Ag/[SnS2/PMMA]/Cu RRAM,其SET电压为0.14 V, SET功率为10-10 W,开关比为106。经过104个开关周期和104 s的保留时间后,器件的开关比仍然可以稳定在106以上。当弯曲半径不小于2 mm时,弯曲对器件性能无影响。

图文导读

图1. 水热法合成SnS2样品的表征。

图2. Ag/[SnS2/PMMA]/Cu RRAM的截面形貌和性能。

图3. Ag/PMMA/Cu器件与Ag/SnS2/Cu器件性能比较。

图4. Ag/[SnS2/PMMA]/Cu RRAM的多级存储特性

图5. Ag/[SnS2/PMMA]/Cu电阻存储器的柔韧性和耐热性能。

图6. TMDs基RRAM性能与vdW间隙半径的关系。

图7. 基于不同rg的TMDs的vdW层之间的间隙和RRAM银导电丝路径的示意图。

图8. 基于TMDs的RRAM的SET电压、晶格畸变、间隙半径和驱动力之间的相关性。

文献信息

Ultralow-Power RRAM with a High Switching Ratio Based on the Large van der Waals Interstice Radius of TMDs

(ACS Nano, , DOI:10.1021/acsnano.2c06728)

文献链接:网页链接

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