今年五月份，美国对华为进行了全面的芯片封锁，芯片断供再次升级。华为从芯片供应受到限制一下子就陷入了无芯可用的僵局。美国在芯片领域的优势非常明显，而且不管是设备还是技术都要领先于中国。虽然近些年来，中国在芯片领域方面也取得了一定的进展和突破，但是华为海思也仅仅具备设计芯片的能力，而芯片制造依然是个问题。
特别是现在市面上使用的芯片大部分都是电子芯片，要制造电子芯片，就需要光刻机，而光刻机也是目前中国急需要突破的关键所在。也是很多半导体企业受到美国禁令限制的原因所在。现在还没有一个国家可以独立的制造出顶级的光刻机设备，就算是光刻机巨头ASML公司，它所生产的光刻机也是融合了全球多个国家的零部件以及技术。一台小小的光刻机上面有数十万个小零件，使用到的专利技术也是不计其数，所以说中国如果想要绕开西方国家的专利技术和零部件，独立自主的研制成功光刻机，难度还是很大的。早前ASML公司就直接呛声中国科技企业，直言“就算公开ASML的光刻机图纸，中国也没有办法造出来光刻机”。
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中国人是激不得的，越是被人看扁，就越要证明自己。不久前，上海微电子就宣布，成功自研了28nm光刻机。这个消息给中国芯片的研发注入了一剂强心剂，虽然如今顶尖的光刻机已经处于5nm甚至更低水平，但是中国自研28nm光刻机也是具有里程碑意义的。
基本上没有任何一个国家可以仅仅依靠自己的技术就研制出光刻机，就算是ASML公司的光刻机也是集合了多个国家的技术，也算是一个联合出品。而中国的28nm光刻机要绕过西方国家的这么多的专利技术实属不易，28nm光刻机的自研成功也打破了西方国家在光刻机领域的垄断，让中国芯片也看到了一丝希望。
而最近中科院又传来了一个好消息，5nm光刻机关键技术也被攻克。虽然ASML的EUV极紫外光刻机就像是一座大山屹立在面前，但是中科院却另辟蹊径成功绕开，新开发了一种三层堆叠薄膜结构，利用双激光束交叠进行波长的控制，从而精确到5nm工艺。
很少有国家会花费人力物力财力在研发光刻机方面，毕竟难度太大，而且也不一定会成功。再加上西方国家设置了太多的专利壁垒，在研发过程中的耗费太大，也是一些企业和国家承担不起的。而中科院如今突破了5nm光刻机的关键技术，也让中国自研5nm光刻机有了重大进展，这确实是非常了不起的，也让中国打破西方光刻机垄断成为现实！如果中国光刻机的难关能够解决的话，芯片问题也就迎刃而解了！
在中国科学家的共同努力下，相信这些难关都会一个接一个的被消灭！中国人从来都不害怕挑战，有挑战才会有进步，相信中国自研5nm光刻机终究会实现！期待中国打破西方光刻机垄断的高光时刻！对此，你怎么看呢？欢迎评论留言！
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