目前，两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中，三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash，SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。
不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在2030年推出800+层的NAND Flash，届时将可轻松打造出100到200TB容量的SSD。
在日前举行的“Flash Memory Summit”大会上，SK海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出，目前SK海力士正在开发128层堆叠的4D NAND Flash，其量产时间将落在第4季。
另外，SK海力士还展示了一款“PE8030”的全新SSD，采用PCIe 4.0×4介面连接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量，连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s，而4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。
在研发发展方面，目前SK海力士正在研发176层NAND Flash，而其他产品的发展，包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中，96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中，而且未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。
128层堆叠的4D NAND Flash将于第4季量产，176层堆叠产品问世、500层堆叠产品则将于2025年问世，其TB/wafer容量比将可提升30%。而800+堆叠的4D NAND Flash则是预计2030年问世，TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。
据了解，目前SK海力士生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit，176层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit，预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit，到800层堆叠时则会高达6.25Tbit，是现在的6倍多。
若以当前SSD固态硬盘的容量计算，目前最大容量约在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成长幅度来计算，未来SSD容量可达200TB左右，这个容量要比当前的HDD还要更大。来源：TechNews科技新报
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