问题补充：
下图为反射弧的局部结构示意图，刺激a点，检测各位点电位变化，下列说法错误的是
A. 图中所示不是完整的反射弧，不能产生兴奋，因此其他位点检测不到电位变化
B. 图中至少存在两个突触，长期记忆的形成与新突触建立有关
C. 若b所在神经元释放的是抑制性递质，则在e处能检测到神经冲动
D. 如果de距离等于cd，在剌激d点时将在c处先测到电位变化
答案：
(答案→)A. 图中所示不是完整的反射弧，不能产生兴奋，因此其他位点检测不到电位变化
B. 图中至少存在两个突触，长期记忆的形成与新突触建立有关
C. 若b所在神经元释放的是抑制性递质，则在e处能检测到神经冲动
D. 如果de距离等于cd，在剌激d点时将在c处先测到电位变化
解析：可联系答 案 网客服索取。
下图为反射弧的局部结构示意图 刺激a点 检测各位点电位变化 下列说法错误的是A. 图中所示不是完整的反射弧 不能产生兴奋 因此其他位点检测不到电位变化B. 图中至少存在两个突触 长
