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电子束光刻胶(SU-8 GM1010 HSQ XR-1541-002/004/006 HSQ Fox-15/16 PMMA)

时间:2024-07-17 23:56:15

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电子束光刻胶(SU-8 GM1010 HSQ XR-1541-002/004/006 HSQ Fox-15/16 PMMA)

电子束光刻胶(SU-8 GM1010,HSQ,XR-1541-002/004/006,HSQ Fox-15/16,PMMA)

光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括:光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,显示面板材料或者印刷电路板。

光刻胶按应用领域分类,可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。

全球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡,具体占比可以如下图所示。

电子束光刻胶-SU-8 GM1010

电子束光刻胶-HSQ

电子束光刻胶-XR-1541-002/004/006

电子束光刻胶-HSQ Fox-15/16

电子束光刻胶-PMMA

产品 型号 光源 类型 分辨率 厚度(um) 适用范围

厚胶 Thick Resist SU-8 GM10xx系列 g/h/i-Line 负性 0.1um 0.1-200 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。

SU-8 Microchem g/h/i-Line 负性 0.5um 0.5-650 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。

SPR220 g/h/i-Line 正性 1um 1—30 可用于选择性电镀电镀,深硅刻蚀等工艺。

NR26-25000P g/h/i-Line 负性 20-130 厚度大,相对容易去胶。

电子束光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(um) 适用范围

SU-8 GM1010 电子束 负性 100nm 0.1-0.2 可用于做高宽比较大的纳米结构。

HSQ 电子束 负性 6nm 30nm~180nm 分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。

XR-1541-002/004/006

HSQ Fox-15/16 电子束 负性 100nm 350nm~810nm 分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。

PMMA(国产) 电子束 正性 \ \ 高分辨率,适用于各种电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。

PMMA(进口) 电子束 正性 \ \ MicroChem,各种分子量,适用于各种电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。

薄胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(um) 适用范围

S18xx系列 g-Line 正性 0.5um 0.4-3.5 较常用的薄光刻胶,分辨率高,稳定可靠。

SPR955系列 i-Line 正性 0.35um 0.7-1.6 进口高分辨率(0.35um)光刻胶,稳定可靠。

BCI-3511 i-Line 正性 0.35um 0.5-2 国产0.35um光刻胶,已经在量产单位规模使用。

NRD6015 248nm 负性 0.2um 0.7-1.3 国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用。

Lift off光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(μm) 适用范围

KXN5735-LO g/h/i-Line 负性 4μm 2.2-5.2 负性光刻胶;倒角65-80°,使用普通正胶显影液显影。

LOL2000/3000 g/h/i-Line / NA 130nm-300nm 非感光性树脂,可以被显影液溶解,作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。

ROL-7133 g/h/i-Line / 4um 2.8-4 负性光刻胶,倒角75~80°,使用普通正胶显影液。

光刻胶配套试剂 品名 主要成分 包装 应用 / /

正胶显影液 TMAH 2.38% 4LR/PC 正胶显影液 / /

正胶稀释剂 PGMEA 4LR/PC 稀释剂 / /

SU8 显影液 PGMEA 4L/PC 显影SU8光刻胶 / /

RD-HMDS HMDS 500ml/PC 增粘剂 / /

OMNICOAT 见MSDS 500ml/PC SU-8增粘剂 / /

wyf 01.22

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