【中科院5nm光刻研究真的能够抗衡ASML的光刻机？解读真实情况】
我们一看到5nm，就认为我国突破了5nm光刻机的工艺制程，完全没有想过，这是理论研究？还是真正的付诸于实际。
相关内容是——
根据中国微米纳米技术学会报道，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员，与国家纳米科学中心刘前研究员合作，在《纳米快报》上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备 5nm 间隙电极和阵列》的研究论文，论文主要阐述的是新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。
研究成果——
在无机钛膜光刻胶上，采用双激光束（波长为 405 nm）交叠技术，在利用精确控制能量密度及步长，实现了 1/55 衍射极限的突破（NA=0.9），达到了最小 5 nm 的特征线宽。
但是，这是理论研究成功，能不能利用实际，我们并不知道。我们必须很清楚的知道，理论研究和实际的应用于芯片是两回事。
我们得知道ASML的成功，不仅仅是因为光刻机技术，而是全球化大生产的结果，在光刻机的80000个零部件中，能够形成更强的化学反应。
同样，我们也必须知道，ASML的成功实际上是使用了美国的光源，德国的镜头以及多种世界最先进的技术，因此你必须知道的是如果单纯的是一个方面的话，ASML是不可能发展迅速的。
我国受限于西方国家的技术限制，受制于【瓦森纳协议】，因此我们国家的光刻机在目前量产的是90nm工艺的光刻机，虽然生产该光刻机的企业上海微电子，将发布22nm工艺的光刻机，和世界的最先进的5nm光刻机确实有一定的差异性，这方面是我们必须要关注的。
其实，我们也应该看到，中科院的5nm光刻机研究，其实不仅仅会在集成电路、光子芯片，还适用于生物芯片，我们在看到我国光刻机限制的同时，也应该看到我们可能会有打破束缚的希望，这确实是一次机会。
