近日，根据SK海力士官网显示，海力士目前已经研发出业内最高带宽产品HBM2E DRAM。相较于上一代HBM2产品，新一代HBM2E带宽增长接近50%，容量将近翻倍。
HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的速度性能以及1,024 数据的IOPs，所支持的带宽达每秒460GB。通过TSV技术，最多可以垂直堆叠8个16Gb的芯片，形成密度为16GB的单封装芯片。
HBM事业部负责人Jun-Hyun Chun表示，“自从首款HBM发布以来，SK海力士就建立起了业内领先地位，SK海力士计划在大规模量产HBM2E芯片，并继续加强在该领域的领先地位。”
韩国与日本的贸易摩擦使得全球的半导体存储变数不断增大，希望以海力士为首的韩系厂商能狗保证产能稳定全球的科技产业链，避免之前的恶意涨价现象再次出现。
