SK海力士公司宣布，它已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。SK Hynix的HBM2E支持超过460 GB（GB）每秒带宽，基于每个引脚的3.6 Gbps（千兆位/秒）速度性能，具有1,024个数据I / O（输入/输出）。通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成16 GB数据容量的单个密集封装。
SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统。与采用模块封装形式并安装在系统板上的商品DRAM产品不同，HBM芯片与GPU和逻辑芯片等处理器紧密互连，间距仅为几微米，可实现更快的数据传输。
